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DMN6040SVT
0.10
4.0
3.5
0.08
3.0
0.06
V GS = 4.5V
I D = 500mA
2.5
2.0
I D = 1mA
0.04
V GS = 2.5 V
I D = 200mA
1.5
1.0
I D = 250μA
0.02
0.5
0
- 50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 10 On-Resistance Variation with Temperature
Fig. 11 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
20
16
C iss
12
T A = 25°C
8
C oss
4
f = 1MHz
C rss
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0
5 10 15 20 25
30
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 12 Diode Forward Voltage vs. Current
V DS = 30V
I D = 4.3 A
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 13 Typical Junction Capacitance
0
5 10 15 20
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 14 Gate Charge
25
DMN6040SVT
Document number: DS35562 Rev. 10 - 2
5 of 7
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
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